MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 2.8 mΩ Miglioramento, 180 A, TO-263, Superficie IPB180P04P403ATMA2

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3805
Codice costruttore:
IPB180P04P403ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS-P2 Infineon offre le perdite di potenza di commutazione e di conduzione più basse per la massima efficienza termica. Contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

Nessuna pompa di ricarica necessaria per l'azionamento a lato alto

Circuito di azionamento con interfaccia semplice

Capacità di corrente più elevata

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