MOSFET Infineon, canale Tipo P 40 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB180P04P4L02ATMA2

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

20,52 €

(IVA esclusa)

25,03 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 810 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 204,104 €20,52 €
25 - 453,696 €18,48 €
50 +3,446 €17,23 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1821
Codice costruttore:
IPB180P04P4L02ATMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

+175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie iPB, dissipazione di potenza massima 150 W, tensione massima drain source 40 V - IPB180P04P4L02ATMA2


Questo MOSFET è un transistor di potenza a canale P in modalità di potenziamento progettato per la commutazione ad alta corrente in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperatura ambiente e soddisfa le qualifiche di sollecitazione automobilistica per l'uso in sistemi elettrici impegnativi. Il componente è confezionato per garantire l'efficienza termica e di assemblaggio e tollera tensioni di azionamento gate adatte alle topologie di controllo della potenza.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassa resistenza in stato attivo di 2.4 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente continua di 180 A consente la commutazione per carichi pesanti
• Valore nominale drain-source di 40 V adatto per sistemi a tensione moderata
• La dissipazione di potenza di 150 W supporta una gestione della potenza sostenuta
• La tolleranza del gate di 16 V consente margini di tensione di controllo robusti
• La temperatura nominale da -55 °C a +175 °C resiste in ambienti estremi

Applicazioni


• Adatto per unità di distribuzione dell'alimentazione automobilistica
• Ideale per gli stadi di convertitore CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato per la commutazione high-side del driver del motore
• Può essere utilizzato per circuiti di protezione della gestione della batteria
• Adatto per moduli di potenza a montaggio superficiale nei veicoli

Quale stile di montaggio richiede per l'assemblaggio del circuito stampato?


È fornito in un contenitore TO-263 progettato per il montaggio superficiale.

Come si comporta in presenza di corrente elevata continua?


Supporta correnti di drenaggio continue fino a 180 A con una dissipazione di potenza massima di 150 W.

Quale intervallo di tensione di gate deve essere osservato durante il funzionamento?


La tensione gate-source non deve superare 16 V per evitare lo stress del dispositivo.

È adatto all'uso in ampi intervalli di temperatura estremi?


Il dispositivo è classificato per il funzionamento da -55 °C fino a +175 °C per applicazioni ad alta temperatura.

Che tipo di canale e modalità di conduzione utilizza?


Utilizza un canale di tipo P che funziona in modalità di potenziamento.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.