MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 2.4 mΩ Miglioramento, 180 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IPB024N10N5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-9009
Codice costruttore:
IPB024N10N5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 100V è progettato appositamente per la rettifica sincrona in blocchi di telecomunicazioni tra cui OR-ing, hot swap e protezione della batteria, nonché per applicazioni di alimentazione per server. Il dispositivo ha una RDS(on) inferiore del 22% rispetto a dispositivi simili , uno dei principali contributori a questo FOM leader del settore è la bassa resistenza in stato attivo che fornisce il massimo livello di densità di potenza ed efficienza.

Testato con effetto valanga al 100%

Qualificato in base a JEDEC per le applicazioni target

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