MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 180 A, TO-263, Superficie IPB180N10S403ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3803
Codice costruttore:
IPB180N10S403ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-T2 è una modalità di potenziamento del livello normale a canale N. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

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