MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 180 A, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 258-3802
- Codice costruttore:
- IPB180N10S403ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3802
- Codice costruttore:
- IPB180N10S403ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 180A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 250W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 108nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 180A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 250W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 108nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-T2 è una modalità di potenziamento del livello normale a canale N. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.
Certificazione AEC
MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco
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