MOSFET Infineon, canale N 100 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 180 A, TO-263, Superficie

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Codice RS:
258-3802
Codice costruttore:
IPB180N10S403ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TO-263

Serie

iPB

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

250W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

108nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS-T2 è una modalità di potenziamento del livello normale a canale N. Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

Certificazione AEC

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

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