MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 60 mΩ Miglioramento, 31 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

45,55 €

(IVA esclusa)

55,55 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 100 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per Tubo*
50 - 500,911 €45,55 €
100 - 2000,71 €35,50 €
250 - 4500,665 €33,25 €
500 - 12000,619 €30,95 €
1250 +0,574 €28,70 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
919-4924
Codice costruttore:
IRF5305PBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

31A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

110W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

63nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

-1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.69mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.54mm

Altezza

8.77mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
MX

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 31 A, dissipazione di potenza massima di 110 W - IRF5305PBF


Questo MOSFET è stato progettato per applicazioni di potenza ad alta efficienza, garantendo flessibilità e affidabilità. Il funzionamento in modalità enhancement lo rende adatto a vari sistemi che richiedono una commutazione controllata, in particolare negli ambienti industriali e di automazione.

Caratteristiche e vantaggi


• La capacità di corrente continua di drenaggio di 31A supporta le applicazioni più esigenti

• La tensione nominale di 55 V consente una commutazione affidabile

• La bassa resistenza di accensione di 60mΩ riduce la perdita di potenza

• Il design del contenitore TO-220AB migliora le prestazioni termiche

• L'intervallo di tensione gate-source di ±20V consente di soddisfare diverse applicazioni

• L'ottimizzazione della commutazione rapida aumenta l'efficienza complessiva del sistema

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per un funzionamento efficiente

• Applicabile nei circuiti di alimentazione per prestazioni stabili

• Integrato in dispositivi elettronici che richiedono efficaci capacità di commutazione

• Adatto all'impiego in sistemi di energia rinnovabile

Qual è l'intervallo di temperatura per il funzionamento?


Funziona da -55°C a +175°C, quindi è adatto a condizioni estreme.

In che modo il tipo di pacchetto influisce sulle prestazioni?


Il contenitore TO-220AB offre una bassa resistenza termica, migliorando l'efficienza di raffreddamento durante il funzionamento.

È in grado di gestire applicazioni con corrente di drenaggio pulsata?


Sì, supporta correnti di drenaggio pulsate fino a 110A, garantendo prestazioni adeguate per le richieste transitorie.

Di che tipo di transistor si tratta?


Si tratta di un MOSFET Si a canale P, ottimizzato per applicazioni ad alta efficienza.

È compatibile con i processi di assemblaggio automatizzati?


Sì, il design a foro passante consente l'integrazione in sistemi automatizzati e schede di circuito.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.