MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 100 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 919-4867
- Codice costruttore:
- IRF9Z34NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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| 250 - 450 | 0,709 € | 35,45 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-4867
- Codice costruttore:
- IRF9Z34NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 19A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 100mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 68W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.6V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 19A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 100mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 68W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.6V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 19A, dissipazione di potenza massima 68W - IRF9Z34NPBF
Questo MOSFET a canale P è progettato per garantire prestazioni costanti in diverse applicazioni elettroniche. Con una corrente di drain continua di 19A e una tensione di drain-source di 55V, è adatto all'automazione e alla gestione dell'alimentazione nei moderni sistemi elettronici. Le sue robuste caratteristiche termiche consentono il funzionamento in ambienti difficili.
Caratteristiche e vantaggi
• L'elevata capacità di corrente soddisfa requisiti di carico significativi
• La dissipazione massima di potenza di 68W migliora la durata
• Il design della modalità di potenziamento supporta prestazioni di commutazione efficienti
• La bassa carica del cancello consente un funzionamento più rapido
• Le efficaci caratteristiche termiche garantiscono prestazioni stabili a temperature elevate
• Il pacchetto TO-220AB offre una comoda integrazione nei circuiti
Applicazioni
• Adatto ai circuiti di alimentazione che privilegiano l'efficienza
• Perfetto per il controllo dei motori nei sistemi di automazione
• Adatta a scenari di commutazione ad alta frequenza
• Impiegato nei sistemi di gestione dell'energia per migliorare le prestazioni
Qual è la temperatura massima per questo MOSFET?
Può funzionare a una temperatura massima di +175 °C mantenendo efficienza e affidabilità.
Come gestisce le variazioni di tensione gate-source?
Può ospitare una tensione massima di gate-source di ±20V, garantendo flessibilità nella progettazione dei circuiti.
Qual è il significato della sua bassa resistenza di drain-source?
Una resistenza di drain-source massima di 100 mΩ aumenta l'efficienza di potenza e riduce la produzione di calore.
Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?
Sì, supporta la commutazione rapida grazie alla bassa carica del gate di 35 nC a 10V.
MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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