MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 100 mΩ Miglioramento, 19 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Codice RS:
919-4867
Codice costruttore:
IRF9Z34NPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

19A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

100mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Dissipazione di potenza massima Pd

68W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.69 mm

Altezza

8.77mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.54mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima 19A, dissipazione di potenza massima 68W - IRF9Z34NPBF


Questo MOSFET a canale P è progettato per garantire prestazioni costanti in diverse applicazioni elettroniche. Con una corrente di drain continua di 19A e una tensione di drain-source di 55V, è adatto all'automazione e alla gestione dell'alimentazione nei moderni sistemi elettronici. Le sue robuste caratteristiche termiche consentono il funzionamento in ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• L'elevata capacità di corrente soddisfa requisiti di carico significativi

• La dissipazione massima di potenza di 68W migliora la durata

• Il design della modalità di potenziamento supporta prestazioni di commutazione efficienti

• La bassa carica del cancello consente un funzionamento più rapido

• Le efficaci caratteristiche termiche garantiscono prestazioni stabili a temperature elevate

• Il pacchetto TO-220AB offre una comoda integrazione nei circuiti

Applicazioni


• Adatto ai circuiti di alimentazione che privilegiano l'efficienza

• Perfetto per il controllo dei motori nei sistemi di automazione

• Adatta a scenari di commutazione ad alta frequenza

• Impiegato nei sistemi di gestione dell'energia per migliorare le prestazioni

Qual è la temperatura massima per questo MOSFET?


Può funzionare a una temperatura massima di +175 °C mantenendo efficienza e affidabilità.

Come gestisce le variazioni di tensione gate-source?


Può ospitare una tensione massima di gate-source di ±20V, garantendo flessibilità nella progettazione dei circuiti.

Qual è il significato della sua bassa resistenza di drain-source?


Una resistenza di drain-source massima di 100 mΩ aumenta l'efficienza di potenza e riduce la produzione di calore.

Può essere utilizzato in applicazioni ad alta frequenza?


Sì, supporta la commutazione rapida grazie alla bassa carica del gate di 35 nC a 10V.

MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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