MOSFET Infineon, canale Tipo P 55 V, 110 mΩ Miglioramento, 18 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRFR5505TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-4072
Codice costruttore:
IRFR5505TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

18A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

32nC

Tensione diretta Vf

-1.6V

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.39mm

Larghezza

6.22 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-44-466

MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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