MOSFET Infineon, canale P, 110 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 827-4072
Codice costruttore:: IRFR5505TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 110 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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200 - 480	0,697 €	13,94 €
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**prezzo indicativo

Codice RS:: 827-4072
Codice costruttore:: IRFR5505TRPBF
Costruttore:: Infineon

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	18 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	57 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	6.22mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	32 nC a 10 V
Lunghezza	6.73mm
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale P, 110 mΩ, 18 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale P da 40V a 55V, Infineon

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