MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 110 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IRLR024NTRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
830-3341
Codice costruttore:
IRLR024NTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22 mm

Distrelec Product Id

304-44-476

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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