MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 17 mΩ, 61 A, TO-252, Superficie

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Codice RS:
258-3998
Codice costruttore:
IRLR3915TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo prodotto sono una temperatura d'esercizio di giunzione di 175 °C, una velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Tecnologia di processo avanzata

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione rapida

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