MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 80 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD14N06S280ATMA2
- Codice RS:
- 214-9031
- Codice costruttore:
- IPD14N06S280ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 20 unità*
14,48 €
(IVA esclusa)
17,66 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1620 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,724 € | 14,48 € |
| 200 - 480 | 0,582 € | 11,64 € |
| 500 - 980 | 0,567 € | 11,34 € |
| 1000 - 1980 | 0,553 € | 11,06 € |
| 2000 + | 0,538 € | 10,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-9031
- Codice costruttore:
- IPD14N06S280ATMA2
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 17A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 80mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 30W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 8nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.3mm | |
| Lunghezza | 6.5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 17A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 80mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 30W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.3mm | ||
Lunghezza 6.5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.
È certificato AEC Q101 per il settore automobilistico
Testato al 100% con effetto valanga
Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 80 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 110 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 110 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRLR024NTRPBF
- MOSFET Infineon 110 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRLR024NTRLPBF
- MOSFET Infineon 17 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 17 mΩ TO-252, Superficie IRLR3915TRPBF
- MOSFET Infineon 0.075 Ω TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 0.075 Ω TO-252, Superficie IRFR024NTRPBF