MOSFET Infineon, canale N 55 V, 17 mΩ, 61 A, TO-252, Superficie IRLR3915TRPBF
- Codice RS:
- 258-3999
- Codice Distrelec:
- 304-40-553
- Codice costruttore:
- IRLR3915TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 258-3999
- Codice Distrelec:
- 304-40-553
- Codice costruttore:
- IRLR3915TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 61A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 120W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 61A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 120W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo prodotto sono una temperatura d'esercizio di giunzione di 175 °C, una velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Tecnologia di processo avanzata
Resistenza all'accensione estremamente bassa
Commutazione rapida
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