MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 17 mΩ, 61 A, TO-252, Superficie IRLR3915TRPBF

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

3,17 €

(IVA esclusa)

3,868 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1472 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 181,585 €3,17 €
20 - 481,445 €2,89 €
50 - 981,345 €2,69 €
100 - 1981,25 €2,50 €
200 +1,16 €2,32 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3999
Codice Distrelec:
304-40-553
Codice costruttore:
IRLR3915TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

120W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza all'accensione estremamente bassa per area di silicio. Le caratteristiche aggiuntive di questo prodotto sono una temperatura d'esercizio di giunzione di 175 °C, una velocità di commutazione rapida e una migliore resistenza alle valanghe ripetitive. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Tecnologia di processo avanzata

Resistenza all'accensione estremamente bassa

Commutazione rapida

Link consigliati