MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 110 mΩ Miglioramento, 17 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Codice RS:
168-8749
Codice costruttore:
IRLR024NTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.22mm

Altezza

2.39mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


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