MOSFET Infineon, canale N, 110 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 168-8749
Codice costruttore:: IRLR024NTRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 110 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 2000)**

0,31 €

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0,38 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
2000 +	0,31 €	620,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 168-8749
Codice costruttore:: IRLR024NTRPBF
Costruttore:: Infineon

IRLR024NPbF / IRLU024NPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	110 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-16 V, +16 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	15 nC a 5 V
Larghezza	6.22mm
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	2.39mm

MOSFET Infineon, canale N, 110 mΩ, 17 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon