MOSFET Infineon, canale N 55 V, 6.5 mΩ, 110 A, 3 Pin, A-262, Foro passante

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Codice RS:
214-4447
Codice costruttore:
IRF3205ZLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

A-262

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la rapida velocità di commutazione e l'effetto valanga ripetitivo migliorato

È senza piombo

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