MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ, 110 A, 3 Pin, A-262, Foro passante
- Codice RS:
- 214-4447
- Codice costruttore:
- IRF3205ZLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
25,85 €
(IVA esclusa)
31,55 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 5250 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 + | 0,517 € | 25,85 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-4447
- Codice costruttore:
- IRF3205ZLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | A-262 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 110nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package A-262 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 110nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la rapida velocità di commutazione e l'effetto valanga ripetitivo migliorato
È senza piombo
