MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 222-4734
- Codice costruttore:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 222-4734
- Codice costruttore:
- IRF3205ZSTRLPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 76nC | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 76nC | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.
Advanced Process Technology
Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo
Senza piombo, Conformità RoHS
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