MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
188-8284
Codice costruttore:
STB80NF55-06T4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

80A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

142nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

9.35 mm

Lunghezza

10.4mm

Altezza

4.37mm

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza è l'ultimo sviluppo di STMicroelectronis esclusivo processo a striscia "Single Feature Size™". Il transistore risultante presenta una densità di impaccamento estremamente elevata per una bassa resistenza all'accensione, caratteristiche di valanga robuste e fasi di allineamento meno critiche, quindi una notevole riproducibilità di fabbricazione.

Eccezionale capacità dv/dt

Caratterizzazione orientata all'applicazione

Applications

Applicazione di commutazione

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