MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie STB80NF55-06T4
- Codice RS:
- 188-8527
- Codice costruttore:
- STB80NF55-06T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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| 25 - 45 | 2,93 € | 14,65 € |
| 50 - 120 | 2,774 € | 13,87 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 188-8527
- Codice costruttore:
- STB80NF55-06T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 142nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.37mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 142nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.37mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Questo MOSFET di potenza è l'ultimo sviluppo di STMicroelectronis esclusivo processo a striscia "Single Feature Size™". Il transistore risultante presenta una densità di impaccamento estremamente elevata per una bassa resistenza all'accensione, caratteristiche di valanga robuste e fasi di allineamento meno critiche, quindi una notevole riproducibilità di fabbricazione.
Eccezionale capacità dv/dt
Caratterizzazione orientata all'applicazione
Applications
Applicazione di commutazione
Applications
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