MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie AUIRF3205ZSTRL

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1729
Codice costruttore:
AUIRF3205ZSTRL
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Serie

AUIRF

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101

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