MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5890
Codice costruttore:
IRF3205STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

146nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

9.65 mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


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Transistor MOSFET, Infineon


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