MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 8 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
165-5890
Codice costruttore:
IRF3205STRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

146nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

9.65mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon


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