MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 229-1728
- Codice costruttore:
- AUIRF3205ZSTRL
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 bobina da 800 unità*
849,60 €
(IVA esclusa)
1036,80 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 21 dicembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,062 € | 849,60 € |
| 1600 + | 1,009 € | 807,20 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-1728
- Codice costruttore:
- AUIRF3205ZSTRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Serie | AUIRF | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 76nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 9.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Serie AUIRF | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 76nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 9.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101
Link consigliati
- MOSFET Infineon 6.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie AUIRF3205ZSTRL
- MOSFET Infineon 6.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 6.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF3205ZSTRLPBF
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IRF3205STRLPBF
- MOSFET Infineon 6.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante AUIRF3205Z
- MOSFET STMicroelectronics 6.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 6.5 mΩ 3 Pin Foro passante