MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 229-1728
- Codice costruttore:
- AUIRF3205ZSTRL
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,09 € | 872,00 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-1728
- Codice costruttore:
- AUIRF3205ZSTRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 110A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | AUIRF | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 6.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 76nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 170W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 110A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie AUIRF | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 6.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 76nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 170W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 4.83mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono una temperatura d'esercizio della giunzione di 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC Q101
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