MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante AUIRF3205Z

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
737-7436
Codice costruttore:
AUIRF3205Z
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Altezza

16.51mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon


La gamma completa di dispositivi a canale N a stampo singolo qualificati AECQ-101 per uso automobilistico di Infineon soddisfa un'ampia varietà di requisiti di alimentazione in svariate applicazioni. Questa gamma di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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