MOSFET Infineon, canale Tipo N 55 V, 6.5 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante AUIRF3205Z

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
737-7436
Codice costruttore:
AUIRF3205Z
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Dissipazione di potenza massima Pd

170W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

16.51mm

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N per uso automobilistico, Infineon


La gamma completa di dispositivi a canale N a stampo singolo qualificati AECQ-101 per uso automobilistico di Infineon soddisfa un'ampia varietà di requisiti di alimentazione in svariate applicazioni. Questa gamma di MOSFET di potenza discreti HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminazioni e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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