MOSFET Infineon, canale N, 17 mΩ, 53 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 541-0711
Codice costruttore:: IRFZ46NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 17 mΩ, 53 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 541-0711
Codice costruttore:: IRFZ46NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 53 A, dissipazione di potenza massima di 107 W - IRFZ46NPBF

Questo MOSFET è essenziale per le applicazioni ad alta efficienza nell'automazione e nell'elettronica. Gestisce efficacemente correnti e tensioni significative, rendendolo applicabile in diversi contesti industriali. Il suo design avanzato supporta un funzionamento affidabile a temperature estreme, rispondendo a diverse esigenze elettroniche e semplificando i progetti dei circuiti.

Caratteristiche e vantaggi

• Capacità di corrente di drenaggio continua di 53A per carichi impegnativi
• Potenza massima dissipata di 107 W per una gestione termica efficace
• Bassa resistenza all'accensione di 17mΩ, per una maggiore efficienza
• Il design della modalità di potenziamento consente un'applicazione versatile
• Le specifiche di tensione di soglia del gate definite garantiscono un controllo preciso

Applicazioni

• Conversione di potenza nei sistemi di automazione industriale
• Controllo dei motori e circuiti di pilotaggio
• Sistemi di gestione dell'alimentazione per progetti ad alta efficienza energetica
• Implementazione in alimentatori a commutazione per coerenza
• Commutazione elettronica che richiedono una risposta rapida

Può funzionare ad alte temperature?

Sì, opera in modo efficiente a temperature fino a +175°C.

Quale corrente può gestire a temperature elevate?

A 100°C, può gestire in modo sicuro una corrente di drenaggio continua di 37A.

Come posso garantire prestazioni termiche ottimali durante l'installazione?

L'uso di un pacchetto TO-220AB con un dissipatore di calore adeguato può ridurre al minimo la resistenza termica e garantire le prestazioni.

Quali sono le specifiche della tensione di soglia del gate?

La tensione di soglia del gate è specificata tra 2V e 4V per un controllo operativo accurato.

È adatto all'uso negli alimentatori?

Sì, è efficace negli alimentatori a commutazione grazie alle sue capacità di commutazione rapida e alla bassa resistenza di accensione.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	53 A
Tensione massima drain source	55 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	17 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	107 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	72 nC a 10 V
Larghezza	4.82mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.66mm
Numero di elementi per chip	1
Altezza	9.02mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.3V