MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 145-9698
Codice costruttore:: IRFB4110GPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

2,83 €

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Unità	Per unità	Per stecca**
50 - 50	2,83 €	141,50 €
100 - 200	2,689 €	134,45 €
250 +	2,519 €	125,95 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 145-9698
Codice costruttore:: IRFB4110GPBF
Costruttore:: Infineon

IRFB4110GPbF, HEXFET Power MOSFET
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	180 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	TO-220AB
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	370 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	150 nC @ 10 V
Larghezza	4.83mm
Lunghezza	10.67mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	16.51mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 4,5 mΩ, 180 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon

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