MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ Miglioramento, 180 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFB4110GPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
865-5807
Codice costruttore:
IRFB4110GPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

180A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

HEXFET

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

150nC

Dissipazione di potenza massima Pd

370W

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.67mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.83 mm

Altezza

16.51mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon


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Transistor MOSFET, Infineon


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