MOSFET Infineon, canale Tipo N 24 V, 1.5 mΩ Miglioramento, 353 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante IRF1324PBF
- Codice RS:
- 688-6807
- Codice costruttore:
- IRF1324PBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 2 unità*
2,05 €
(IVA esclusa)
2,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- 762 unità in spedizione dal 09 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 2 + | 1,025 € | 2,05 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 688-6807
- Codice costruttore:
- IRF1324PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 353A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 24V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | HEXFETPower MOSFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 160nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 300W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 353A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 24V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie HEXFETPower MOSFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 160nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 300W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.02mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, da 12 V a 25 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- 1 MOSFET Infineon Singolo JEDEC TO-220AB Miglioramento, 3 Pin AUIRL3705Z
- MOSFET Infineon 6 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 92 A JEDEC TO-220AB, Foro passante IRLB8748PBF
- MOSFET Infineon 73 A JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFB4610PBF
- MOSFET Infineon 270 A JEDEC TO-220AB, Foro passante IRFB3006PBF
- MOSFET Infineon 4.5 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFB4110GPBF
