MOSFET di potenza Infineon, canale Tipo N 55 V, 13.5 mΩ Miglioramento, 51 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 688-7308
- Codice costruttore:
- IRLZ44ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 688-7308
- Codice costruttore:
- IRLZ44ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 51A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 13.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±16 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 24nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Lead-Free | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Larghezza | 9.65 mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 51A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±16 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 24nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Lead-Free | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 8.77mm | ||
Larghezza 9.65 mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
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