MOSFET Infineon, canale N, 70 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 919-4851
Codice costruttore:: IRFZ24NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 70 mΩ, 17 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 919-4851
Codice costruttore:: IRFZ24NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 17 A, dissipazione di potenza massima di 45 W - IRFZ24NPBF

Questo MOSFET è progettato per fornire prestazioni eccezionali in una serie di applicazioni elettroniche. È un componente chiave dei sistemi di automazione e controllo, in grado di migliorare l'efficienza e l'affidabilità. Le sue capacità sono fondamentali per ottimizzare le operazioni di sistema nell'industria elettrica e meccanica.

Caratteristiche e vantaggi

• Elevata capacità di gestione della corrente fino a 17A per le applicazioni più esigenti
• Tensione operativa massima di 55 V per un utilizzo diversificato
• Basso RDS(on) per ridurre al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento
• Elevata tolleranza termica fino a +175°C per un'affidabilità costante
• Montaggio a foro passante per una semplice installazione e manutenzione
• Utilizza la modalità di potenziamento per un controllo migliorato nei circuiti

Applicazioni

• Impiegato nei sistemi di gestione dell'energia per migliorare l'efficienza
• Adatto per il controllo dei motori che richiedono una corrente elevata
• Utilizzato nell'elettronica automobilistica per garantire prestazioni robuste
• Ideale per i sistemi HVAC in cui l'affidabilità è essenziale
• Applicato nei sistemi di energia rinnovabile per una maggiore durata

Qual è l'intervallo di temperatura di funzionamento adatto per ottenere prestazioni ottimali?

Il prodotto funziona efficacemente da -55°C a +175°C, garantendo la durata in varie condizioni.

Come posso integrarlo nel mio attuale progetto di circuito?

È dotato di un package di tipo TO-220AB, che semplifica l'integrazione nei sistemi esistenti utilizzando layout di PCB standard.

Quali sono le precauzioni da prendere durante l'installazione?

Assicurarsi che l'area di montaggio sia pulita e utilizzare una gestione termica adeguata per massimizzare le prestazioni e ridurre al minimo i problemi legati al calore.

È in grado di gestire correnti elevate e continue?

Questo prodotto supporta una corrente di drenaggio continua fino a 17A, rendendolo adatto ad applicazioni ad alta richiesta.

Quali sono i parametri da monitorare per un funzionamento ottimale?

Monitorare la tensione di drain-source per assicurarsi che rimanga entro i limiti di sicurezza, in particolare al di sotto di 55V.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	17 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	70 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	20 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	8.77mm