1 MOSFET Infineon Singolo, canale N, 8 mΩ, 104 A 55 V, JEDEC TO-220AB, Foro passante, Foro passante Miglioramento, 3 Pin

Codice RS:: 913-3869
Codice costruttore:: IRL2505PBF
Costruttore:: Infineon

1 MOSFET Infineon Singolo, canale N, 8 mΩ, 104 A 55 V, JEDEC TO-220AB, Foro passante, Foro passante Miglioramento, 3 Pin

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Codice RS:: 913-3869
Codice costruttore:: IRL2505PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	104A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	55V
	Tipo di package	JEDEC TO-220AB
	Serie	LogicFET
	Tipo montaggio	Foro passante, Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	8mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	130nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	200W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-16V, +16V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Configurazione transistor	Singolo
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Altezza	8.77mm
	Larghezza	4.69mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	10.54mm
	Numero elementi per chip	1
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 104A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V
	Tipo di package JEDEC TO-220AB
	Serie LogicFET
	Tipo montaggio Foro passante, Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 130nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 200W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -16V, +16V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Configurazione transistor Singolo
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Altezza 8.77mm
	Larghezza 4.69mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 10.54mm
	Numero elementi per chip 1
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET della serie Infineon LogicFET, corrente di scarico continua massima di 104 A, dissipazione di potenza massima di 200 W - IRL2505PBF

Questo MOSFET è progettato per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono una gestione efficiente dell'energia. Con una corrente di drenaggio continua massima di 104A e una capacità di tensione drain-source fino a 55V, è un'opzione competitiva per il mercato. La sua struttura robusta e le sue specifiche avanzate lo rendono adatto a varie applicazioni di automazione ed elettronica.

Caratteristiche e vantaggi

• La bassa resistenza di accensione di 8mΩ riduce la generazione di calore

• La dissipazione di potenza massima di 200 W migliora le prestazioni

• Lo stile di montaggio a foro passante consente una più facile integrazione

• I bassi requisiti di carica del cancello migliorano l'efficienza operativa

• Il design della modalità di potenziamento garantisce prestazioni in condizioni difficili

Applicazioni

• Commutazione di potenza per un controllo efficace

• Circuiti di pilotaggio del motore per la regolazione della velocità e della coppia

• Sistemi automatizzati che richiedono un'elevata gestione della corrente

• Alimentatori e circuiti di conversione per mantenere un'uscita stabile

• Macchinari industriali per una migliore gestione della potenza

Qual è la tensione di soglia del gate da utilizzare?

La tensione di soglia del gate è compresa tra 1V e 2V, offrendo flessibilità per varie applicazioni.

Come influisce la temperatura sulle prestazioni?

Questo dispositivo può funzionare efficacemente in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +175°C, rendendolo adatto a condizioni ambientali difficili.

È in grado di gestire operazioni a corrente pulsata?

Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 360A, garantendo l'affidabilità nelle applicazioni di breve durata.

Quale livello di tensione può essere gestito attraverso il drain-source?

Supporta una tensione massima di 55 V, ideale per la maggior parte delle applicazioni generiche.

MOSFET di potenza a canale N da 55 V, Infineon

La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.