MOSFET Infineon, canale P, 175 mΩ, 12 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 541-0799
Codice Distrelec:: 303-41-312
Codice costruttore:: IRF9Z24NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale P, 175 mΩ, 12 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 541-0799
Codice Distrelec:: 303-41-312
Codice costruttore:: IRF9Z24NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 12 A, dissipazione di potenza massima di 45 W - IRF9Z24NPBF

Questo MOSFET ad alte prestazioni è progettato per una gestione efficiente della potenza in diverse applicazioni. Con una configurazione a canale P, si presta bene alla commutazione controllata e a un flusso di corrente potenziato. Il prodotto svolge un ruolo cruciale nel pilotaggio di carichi ad alta potenza, garantendo prestazioni costanti e stabilità termica in condizioni difficili.

Caratteristiche e vantaggi

• Corrente di drenaggio continua massima di 12A
• Tensione massima drain-source di 55 V
• Basso RDS(on) di 175mΩ per ridurre la perdita di potenza
• Funziona con tensione gate-source sia negativa che positiva

Applicazioni

• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia per l'automazione
• Impiegato negli alimentatori a commutazione per l'elettronica
• Vantaggioso negli amplificatori audio per migliorare le prestazioni
• Comune in vari dispositivi elettronici di consumo per un uso efficiente dell'energia

Qual è la carica tipica del gate per ottenere prestazioni ottimali?

La carica tipica del gate è di 19nC con una tensione gate-source di 10V, che garantisce caratteristiche di commutazione efficaci.

In che modo il tipo di canale influisce sulla funzionalità?

Come MOSFET a canale P, consente una migliore integrazione nelle applicazioni di commutazione high-side, ampliando i potenziali scenari di utilizzo nei circuiti di potenza.

Qual è il significato dell'intervallo di temperatura?

L'intervallo di temperatura operativa da -55°C a +175°C garantisce l'affidabilità in vari ambienti, rendendolo versatile per diverse applicazioni industriali.

Può essere utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta frequenza?

Sì, la combinazione di bassa carica e resistenza del gate lo rende adatto ad applicazioni ad alta frequenza, migliorando l'efficienza delle prestazioni.

Quali sono le considerazioni da fare per l'installazione?

Garantire una corretta gestione termica e un montaggio adeguato per facilitare un'efficace dissipazione del calore, che può migliorare la longevità e l'affidabilità del funzionamento.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	55 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	175 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	45 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.54mm
Larghezza	4.69mm
Carica gate tipica @ Vgs	19 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	8.77mm
Tensione diretta del diodo	1.6V
Minima temperatura operativa	-55 °C