MOSFET Infineon, canale N 700 V, 750 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante

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Prezzo per 75 unità, in un tubo da 75*

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Unità
Per unità
Per Tubo*
75 - 750,278 €20,85 €
150 - 3000,215 €16,13 €
375 - 6750,213 €15,98 €
750 - 18000,21 €15,75 €
1875 +0,208 €15,60 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
215-2553
Codice costruttore:
IPSA70R750P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

IPAK

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

34.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS™ 700V Infineon soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di super giunzione utilizzate oggi. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili. Il più recente CoolMOS™P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Perdite estremamente basse dovute a FOMRDS(ON)*Qg molto basso e RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

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