MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 750 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN70R750P7SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2550
Codice costruttore:
IPN70R750P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

IPN

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.7mm

Larghezza

3.7 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 supergiunzione (SJ) è progettato per risolvere le sfide tipiche del mercato degli SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma e competitività dei prezzi migliorati.......... Il modello Infineon CoolMOS SJ (Supergiunzione) Il contenitore SOT-223 è un'alternativa drop-in one-to-one conveniente rispetto ai DPAK che consente anche la riduzione dell'ingombro in alcuni progetti. Può essere posizionato su un tipico ingombro DPAK e mostra prestazioni termiche paragonabili. Questa combinazione rende CoolMOS™ P7 in SOT-223 una soluzione perfetta per le applicazioni target.

Tecnologia di supergiunzione ad alte prestazioni

Soluzione conveniente

Miglior rapporto prezzo/prestazioni della categoria

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