MOSFET Infineon, canale N 700 V, 1.4 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
217-2544
Codice costruttore:
IPN70R1K4P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

SOT-223

Serie

IPN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.2W

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7mm

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IPN, tensione massima della sorgente di drenaggio di 700 V, corrente di drenaggio continua massima di 4 A - IPN70R1K4P7SATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per applicazioni a montaggio superficiale in ambienti termici industriali. È progettato per controllare la potenza nei circuiti che richiedono un transistor in modalità di potenziamento in grado di gestire tensioni elevate da drain a sorgente e corrente continua, operando in un ampio intervallo di temperatura.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale da drenaggio a sorgente di 700 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 4 A supporta correnti di carico moderate
• L'Rds(on) di 1.4 Ω riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La dissipazione di potenza di 6.2 W consente una gestione prolungata del carico termico
• La tolleranza del gate di 30 V fornisce un robusto margine di azionamento del gate
• La carica tipica del gate di 4.7 nC riduce al minimo l'energia di commutazione

Applicazioni


• Adatto per circuiti di commutazione ad alta tensione negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore a media potenza con montaggio superficiale
• Utilizzato per gli elementi di commutazione del convertitore flyback e boost
• Può essere utilizzato per la commutazione controllata del carico nelle apparecchiature industriali
• Adatto per circuiti che richiedono un funzionamento in un ampio intervallo di temperatura

Quali temperature estreme può sopportare durante il funzionamento?


Funziona in modo affidabile da -40 °C fino a 150 °C.

Quanti pin di collegamento sono disponibili per considerazioni di layout?


Il dispositivo è fornito con tre terminali elettrici per il montaggio su circuito stampato.

Quale tipo di contenitore deve essere specificato per l'assemblaggio superficiale?


Utilizza un pacchetto SOT-223 adatto per i processi di saldatura a montaggio superficiale.

Qual è la caduta in avanti tipica se il diodo integrato conduce?


Il dispositivo presenta una tensione diretta di 0,9 V quando il diodo intrinseco conduce.

In che modo la carica del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?


Una carica gate tipica di 4,7 nC limita l'energia del gate drive e influisce sulla velocità di commutazione e sulle perdite.

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