MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.4 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
214-4401
Codice costruttore:
IPN80R1K4P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

SOT-223

Serie

800V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

7W

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.8mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Larghezza

3.7mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS Infineon 800V è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni fly-back tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e alimentazione industriale.

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