MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 0.68 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
250-0535
Codice costruttore:
BSP316PH6327XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

0.68A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SOT-223

Serie

BSP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon realizza questo mosfet in modalità potenziata SIPMOS, transistor a canale P a piccolo segnale. Il dispositivo è un transistor in modalità potenziata a canale P con valore nominale dv/dt ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni.

Vds è 100 V, RDS(on) 1,8 Ω e Id è 0,68 A

Massima dissipazione di potenza 360 mW

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