MOSFET Infineon, canale N 600 V, 45000 mΩ Miglioramento, 120 mA, 3 Pin, SOT-223, Superficie BSP125H6433XTMA1

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

740,00 €

(IVA esclusa)

904,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 12 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
4000 +0,185 €740,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
250-0527
Codice costruttore:
BSP125H6433XTMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

BSP

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

45000mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie BSP, tensione massima drain-source 600 V, dissipazione di potenza massima 81 W - BSP125H6433XTMA1


Questo MOSFET è un dispositivo a canale N con modalità di potenziamento a montaggio superficiale progettato per attività di commutazione ad alta tensione e dissipazione di potenza in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto a condizioni difficili e incorpora un pacchetto SOT-223 a tre pin per un posizionamento semplice del circuito stampato. Il componente è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa gli standard di qualificazione automobilistica per l'uso in ambienti di veicoli regolamentati.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source 600 V consente la commutazione ad alta tensione
• La dissipazione di potenza di 81 W supporta carichi termici sostenuti
• La corrente di drenaggio continua di 0,12 A è adatta per percorsi di controllo a bassa corrente
• La resistenza di accensione di 45,000 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica gate di 80 nC a 20 V semplifica la progettazione del gate drive

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione dell'alimentazione industriale
• Ideale per i circuiti di controllo automobilistici che richiedono una qualifica
• Utilizzato con convertitori compatti che richiedono il montaggio SOT-223
• Può essere utilizzato per moduli elettronici ad alta temperatura
• Adatto per schede di prototipazione e di produzione a montaggio superficiale

Quali limiti di tensione gate devono essere rispettati?


La tensione gate-sorgente non deve superare 20 V per evitare danni alla regione gate.

Quale intervallo termico si può prevedere durante il funzionamento?


Il dispositivo è progettato per l'uso continuo da -55 °C a +150 °C per adattarsi a un'ampia gamma di condizioni ambientali.

Quanti pin e quale tipo di contenitore devono consentire i progettisti di circuiti stampati?


Utilizza un contenitore SOT-223 a tre pin adatto per l'assemblaggio a montaggio superficiale e processi di saldatura tipici.

Quali standard o omologazioni si applicano a questo componente?


È conforme alle direttive RoHS e soddisfa la qualifica automobilistica AEC-Q101.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.