MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Depletion, 0.12 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 250-0529
Codice costruttore:: BSP129H6906XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Depletion, 0.12 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:: 250-0529
Codice costruttore:: BSP129H6906XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	0.12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Serie	BSP
	Tipo di package	SOT-223
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.4mΩ
	Modalità canale	Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	81W
	Tensione diretta Vf	1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 0.12A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Serie BSP
	Tipo di package SOT-223
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ
	Modalità canale Depletion
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 81W
	Tensione diretta Vf 1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - BSP129H6906XTSA1

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, 280 mA di corrente continua massima di scarico, 1,8W di dissipazione di potenza massima - BSP129H6906XTSA1

Questo transistor a piccolo segnale è una soluzione efficace per i dispositivi che richiedono alta tensione e capacità di montaggio in superficie. Come MOSFET a canale N in modalità depletion, consente un funzionamento efficiente in diverse applicazioni elettroniche. Con una tensione massima di drain-source di 240 V e una capacità di corrente di drain continua di 280 mA, questo prodotto è particolarmente adatto alle applicazioni di automazione e automotive e rappresenta una scelta affidabile per la gestione dell'alimentazione in diversi circuiti elettronici.

Caratteristiche e vantaggi

• La configurazione a canale N supporta operazioni di commutazione efficienti

• La funzionalità della modalità di esaurimento garantisce prestazioni a corrente costante

• I valori di tensione elevati offrono versatilità nelle applicazioni

• La bassa tensione di soglia del gate migliora la compatibilità del sistema

• Il design per il montaggio in superficie consente installazioni efficienti dal punto di vista dello spazio

• Qualificato AEC-Q101, adatto all'uso automobilistico

Applicazioni

• Adatto ai sistemi di controllo per autoveicoli

• Può essere utilizzato nei circuiti di gestione dell'alimentazione

• Elettronica di consumo per una maggiore efficienza

Come si può garantire una corretta installazione per ottenere prestazioni ottimali?

Installare il MOSFET sul PCB seguendo le linee guida di montaggio specificate, assicurando una corretta gestione termica per un'efficace dissipazione del calore.

Che cosa si deve considerare per la gestione termica durante il funzionamento?

La resistenza termica deve essere monitorata, poiché la temperatura operativa varia da -55°C a +150°C, il che richiede una progettazione adeguata del circuito stampato per facilitare una conduzione efficiente del calore.

Quale tipo di azionamento per cancelli è consigliato per questo prodotto?

Una tensione di gate compresa nell'intervallo specificato di ±20V è essenziale per ottenere caratteristiche di commutazione ottimali, garantendo un funzionamento affidabile in tutte le applicazioni.

Questo MOSFET può essere utilizzato in applicazioni di commutazione ad alta velocità?

Sì, è progettato per funzionare efficacemente in scenari di commutazione ad alta velocità, grazie ai tempi di ritardo di accensione e spegnimento specificati.

Che cosa si deve notare riguardo alle caratteristiche della carica di gate?

La carica totale del gate a 5 V è di circa 3,8nC, ottimizzando l'efficienza di potenza durante la commutazione senza gravare eccessivamente sui circuiti di pilotaggio.