MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.4 mΩ Depletion, 120 mA, 3 Pin, SOT-223, Superficie BSP149H6906XTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0532
Codice costruttore:
BSP149H6906XTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BSP

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Depletion

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon rende il transistor MOSFET di piccolo segnale in modalità di esaurimento canale N ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni. È dotato di valore nominale dv/dt e disponibile con indicatore VGS(th) sulla bobina. La VDS è di 200 V, RDS(on)max è di 3,5 Ω mentre IDSS, min è di 0,14 A.

Placcatura del conduttore senza piombo e senza alogeni

Viene fornito in un SOT233

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