MOSFET Infineon, canale N, 60 Ω, 120 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 354-5708
Codice costruttore:: BSP135H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 60 Ω, 120 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità

1,36 €

(IVA esclusa)

1,66 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità
1 - 9	1,36 €
10 - 49	1,22 €
50 - 99	1,13 €
100 - 249	1,04 €
250 +	0,97 €

Codice RS:: 354-5708
Codice costruttore:: BSP135H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Specifiche

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 mA
Tensione massima drain source	600 V
Serie	SIPMOS®
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,7 nC a 5 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.5mm
Larghezza	3.5mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C