MOSFET Infineon, canale N, 60 Ω, 120 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 354-5708
Codice Distrelec:: 302-83-876
Codice costruttore:: BSP135H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 60 Ω, 120 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice Distrelec:: 302-83-876
Codice costruttore:: BSP135H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, 120 mA di corrente di scarico continua massima, 1,8W di dissipazione di potenza massima - BSP135H6327XTSA1

Questo MOSFET è destinato ad applicazioni di commutazione efficienti, noto per le sue elevate capacità di gestione della tensione e per il profilo a basso consumo energetico. Essendo un MOSFET a canale singolo N in modalità di deplezione, è adatto a varie applicazioni elettroniche che richiedono soluzioni compatte per il montaggio in superficie. Con una tensione massima di drain-source di 600 V, è la scelta ideale per i settori automobilistico e della gestione dell'alimentazione che privilegiano l'efficienza e l'affidabilità.

Caratteristiche e vantaggi

• Utilizza la tecnologia SIPMOS® per una maggiore efficienza
• Supporta capacità di alta tensione fino a 600 V per garantire l'affidabilità operativa
• Il basso consumo di energia, pari a 120 mA, migliora l'efficienza energetica
• Progettato per applicazioni a montaggio superficiale, offre vantaggi in termini di risparmio di spazio
• Protezione ESD con valore nominale di 1A per salvaguardare i circuiti sensibili
• Qualificato per il settore automobilistico secondo AEC-Q101, conforme agli standard industriali

Applicazioni

• Adatto per soluzioni di gestione dell'alimentazione nei dispositivi elettronici
• Utilizzato in bassa tensione con capacità di alta tensione
• Integrato nell'imballaggio per una gestione termica efficiente
• Utilizzato nei circuiti di controllo che richiedono componenti robusti

Quali sono le implicazioni dei valori di resistenza termica per le prestazioni?

La resistenza termica indica l'efficacia della dissipazione del calore del dispositivo, garantendo il funzionamento entro limiti di sicurezza durante l'uso continuo. Valori di resistenza termica più bassi possono aumentare le prestazioni migliorando la gestione del calore, in particolare nelle applicazioni ad alta corrente.

Questo MOSFET è in grado di gestire applicazioni di commutazione ad alta frequenza?

Sì, presenta caratteristiche di bassa carica di gate che consentono un funzionamento efficiente in ambienti ad alta frequenza, rendendolo adatto a una varietà di applicazioni elettroniche moderne.

Cosa bisogna considerare per quanto riguarda l'installazione e la compatibilità?

È importante verificare che il tipo di montaggio sia in linea con il progetto della scheda di circuito per ottimizzare le prestazioni ed evitare potenziali problemi di gestione termica o di connettività.

In che modo la dissipazione di potenza massima influisce sulla sua applicazione?

Con una dissipazione di potenza massima di 1,8 W, è essenziale assicurarsi che l'utilizzo non superi questo limite per evitare il surriscaldamento e potenziali guasti. Un'adeguata gestione termica è fondamentale nella progettazione.

Quali sono le limitazioni relative alla tensione gate-source?

La tensione gate-source può variare da -20V a +20V, che deve essere rispettata per mantenere un funzionamento efficace senza danneggiare il dispositivo o comprometterne le prestazioni.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	120 mA
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	60 Ω
Modalità del canale	Depletion
Tensione di soglia gate massima	1V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	3,7 nC a 5 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.5mm
Larghezza	3.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Standard per uso automobilistico	AEC-Q101
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V
Altezza	1.6mm