MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 2 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1113,00 €

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Codice RS:
215-2533
Codice costruttore:
IPN95R2K0P7ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie Infineon 950V Cool MOS™ P7 è progettata per soddisfare le crescenti esigenze dei consumatori nel settore dei MOSFET ad alta tensione. La più recente tecnologia 950V Cool MOS™ P7 è incentrata sul mercato degli SMPS a bassa potenza. In grado di offrire una tensione di bloccaggio maggiore di 50V rispetto al suo predecessore 900V Cool MOS™ C3, la serie 950V Cool MOS™ P7 offre prestazioni eccezionali in termini di efficienza, comportamento termico e facilità d'uso. Come tutti gli altri componenti della famiglia P7, la serie 950V Cool MOS™ P7 viene fornita con una protezione ESD con diodo Zener integrato. Il diodo integrato migliora notevolmente la robustezza ESD, riducendo così la perdita di snervamento correlata alle ESD e raggiungendo livelli eccezionali di facilità d'uso. Cool MOS™ P7 è sviluppato con la migliore VGS (The) della classe 3V e una tolleranza stretta di soli ± 0,5 V, che lo rende facile da azionare e progettare.

FOMRDS(on)*Eoss migliore della categoria; Qg, Ciss e Coss ridotti

RDS(ON) SOT-223 migliore della categoria

Qualità e affidabilità Cool MOS™ migliore della categoria

Portafoglio completamente ottimizzato

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