MOSFET Infineon, canale N, 800 mΩ, 1,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 124-8756
Codice costruttore:: BSP296NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 800 mΩ, 1,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 124-8756
Codice costruttore:: BSP296NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	1,2 A
Tensione massima drain source	100 V
Serie	OptiMOS™
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	800 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.8V
Tensione di soglia gate minima	0.8V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	3.5mm
Carica gate tipica @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	6.5mm
Altezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 800 mΩ, 1,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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MOSFET a segnale ridotto Infineon OptiMOS™

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