MOSFET Infineon, canale N 100 V, 800 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP296NH6327XTSA1

Codice RS:: 826-9260
Codice Distrelec:: 304-44-413
Codice costruttore:: BSP296NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 800 mΩ Miglioramento, 1.2 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie BSP296NH6327XTSA1

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Codice RS:: 826-9260
Codice Distrelec:: 304-44-413
Codice costruttore:: BSP296NH6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	1.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	SOT-223
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	800mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	4.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	1.8W
	Tensione diretta Vf	850mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.6mm
	Larghezza	3.5mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.5mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 1.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package SOT-223
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 800mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.5nC
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 1.8W
	Tensione diretta Vf 850mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.6mm
	Larghezza 3.5mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.5mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 1,2 A - BSP296NH6327XTSA1

Questo MOSFET è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per la commutazione e il controllo in contesti automobilistici e industriali. Funziona come dispositivo di potenziamento a canale N adatto per applicazioni che richiedono una gestione della corrente moderata e capacità ad alta tensione, resistendo al contempo a un ampio intervallo di temperatura ambiente per ambienti difficili.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 1,2 A supporta correnti di carico modeste
• L'Rds(on) di 800 mΩ riduce le perdite di conduzione sotto carico
• La carica di gate tipica di 4,5 nC consente transizioni di commutazione più veloci
• La dissipazione di potenza massima di 1,8 W gestisce il carico termico in gruppi compatti
• La tolleranza gate di ±20 V supporta le comuni tensioni di gate drive

Applicazioni

• Adatto per moduli di controllo automobilistici che richiedono la qualifica AEC‐Q101
• Ideale per gli stadi dei convertitori CC/CC in alimentatori compatti
• Utilizzato con azionamenti per motori a bassa potenza in sistemi ausiliari
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e le attività di distribuzione dell'alimentazione
• Utile nella regolazione di commutazione per apparecchiature portatili e integrate

Quale tipo di contenitore devo aspettarmi per considerare il layout del circuito stampato?

Viene fornito in un contenitore SOT‐223 a montaggio superficiale con quattro pin, che consente una conduzione termica su un solo lato e un'integrazione semplice dell'ingombro della scheda.

Come si comportano le prestazioni termiche a temperature elevate?

Il dispositivo è classificato per funzionare in un'ampia gamma da -55 °C a 150 °C, con una dissipazione di potenza limitata a 1,8 W per evitare sovratensioni termiche in caso di funzionamento continuo.

Quali vincoli dell'azionamento del gate devono essere osservati durante la progettazione?

La tensione massima ammissibile gate-source è di 20 V, pertanto i driver gate devono essere configurati per evitare di superare questo livello per proteggere l'ossido gate.

Quale parametro influisce maggiormente sull'efficienza di commutazione nelle applicazioni PWM veloci?

La carica di gate tipica di 4,5 nC influisce direttamente sulle perdite di commutazione e sui requisiti di energia di azionamento durante i rapidi cambiamenti di stato.