MOSFET Infineon, canale Tipo N 800 V, 1.2 Ω Miglioramento, 4.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 217-2552
- Codice costruttore:
- IPN80R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
1119,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,373 € | 1.119,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2552
- Codice costruttore:
- IPN80R1K2P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | IPN | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 6.8W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Larghezza | 3.7 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie IPN | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 6.8W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Altezza 1.8mm | ||
Larghezza 3.7 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V CoolMOS™ P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni flyback, tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e potenza industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché alle parti della concorrenza testate in applicazioni flyback tipiche. Consente inoltre progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e prodotti DPAK R DS(on) migliori. Nel complesso, aiuta i clienti a risparmiare sui costi delle distinte materiali e a ridurre gli sforzi di assemblaggio.
FOM R DS(on) * e oss migliore della categoria; Qg, C ISS e C oss i migliori DPAK R DS(on) di 280mΩ
V (GS)th migliore della categoria di 3V e V (GS)th di variazione minima Di ± 0,5 V.
Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)
Qualità e affidabilità migliori della categoria
Portafoglio completamente ottimizzato
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