MOSFET Infineon, canale N 700 V, 1.2 Ω Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN70R1K2P7SATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4687
Codice costruttore:
IPN70R1K2P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

SOT-223

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.8nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

6.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Tensione diretta Vf

900mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.7mm

Larghezza

3.7mm

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

Diodo di protezione ESD integrato a basse perdite di commutazione (Eoss)

Eccellente comportamento termico

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