MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.2 Ω Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie IPN70R1K2P7SATMA1
- Codice RS:
- 222-4687
- Codice costruttore:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4687
- Codice costruttore:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 6.3W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 3.7 mm | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.8mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 6.3W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 3.7 mm | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.8mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.
Convalida prodotto conf. Standard JEDEC
Diodo di protezione ESD integrato a basse perdite di commutazione (Eoss)
Eccellente comportamento termico
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