MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.2 Ω Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante

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Codice RS:
220-7442
Codice costruttore:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS P7

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.38 mm

Altezza

6.1mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

La Infineon ha sviluppato la serie di MOSFET a super giunzione 700V Cool MOS P7 per soddisfare le tendenze attuali e soprattutto future nelle topologie fly back. Si rivolge al mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio i caricabatterie per telefoni cellulari o gli adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di super giunzione utilizzate oggi. Combinando il feedback dei clienti con oltre 20 anni di esperienza con i MOSFET a super giunzione, 700V Cool MOS P7 consente di adattarsi al meglio alle applicazioni target in termini di:

FOM R DS(ON) x e oss estremamente basso; Abbassare Q g, e ON e e Off

Tecnologia ad alte prestazioni

Basse perdite di commutazione (e oss)

Estremamente efficiente

Eccellente comportamento termico

Consente la commutazione ad alta velocità

Diodo Zener di protezione integrato

V (GS) ottimizzata di 3V con tolleranza molto stretta di ±0,5 V.

Portafoglio finemente graduato

Tecnologia competitiva dal punto di vista dei costi

Fino al 2,4% di guadagno di efficienza e 12K di temperatura del dispositivo inferiore Rispetto alla tecnologia C6

Ulteriore guadagno di efficienza a una maggiore velocità di commutazione

Supporto di dimensioni magnetiche inferiori con costi BOM inferiori

Elevata robustezza ESD fino al livello HBM classe 2

Facile da guidare e progettare

Abilitatore per fattori di forma più piccoli e progetti ad alta densità di potenza

Scelta eccellente nella scelta del prodotto più adatto

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