MOSFET e diodo Infineon, canale N 700 V, 1.2 Ω Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPSA70R1K2P7SAKMA1

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Codice RS:
220-7442
Codice costruttore:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

9.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

25W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.8nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.38mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

La Infineon ha sviluppato la serie di MOSFET a super giunzione 700V Cool MOS P7 per soddisfare le tendenze attuali e soprattutto future nelle topologie fly back. Si rivolge al mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio i caricabatterie per telefoni cellulari o gli adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di super giunzione utilizzate oggi. Combinando il feedback dei clienti con oltre 20 anni di esperienza con i MOSFET a super giunzione, 700V Cool MOS P7 consente di adattarsi al meglio alle applicazioni target in termini di:

FOM R DS(ON) x e oss estremamente basso; Abbassare Q g, e ON e e Off

Tecnologia ad alte prestazioni

Basse perdite di commutazione (e oss)

Estremamente efficiente

Eccellente comportamento termico

Consente la commutazione ad alta velocità

Diodo Zener di protezione integrato

V (GS) ottimizzata di 3V con tolleranza molto stretta di ±0,5 V.

Portafoglio finemente graduato

Tecnologia competitiva dal punto di vista dei costi

Fino al 2,4% di guadagno di efficienza e 12K di temperatura del dispositivo inferiore Rispetto alla tecnologia C6

Ulteriore guadagno di efficienza a una maggiore velocità di commutazione

Supporto di dimensioni magnetiche inferiori con costi BOM inferiori

Elevata robustezza ESD fino al livello HBM classe 2

Facile da guidare e progettare

Abilitatore per fattori di forma più piccoli e progetti ad alta densità di potenza

Scelta eccellente nella scelta del prodotto più adatto

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