MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 700 V, 2 Ω Miglioramento, 5.7 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPSA70R2K0P7SAKMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

6,80 €

(IVA esclusa)

8,30 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 1225 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 2250,272 €6,80 €
250 - 6000,259 €6,48 €
625 - 12250,253 €6,33 €
1250 - 24750,237 €5,93 €
2500 +0,19 €4,75 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7445
Codice costruttore:
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

5.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

17.6W

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.6mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Infineon Cool MOS è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera in Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nel mercato consumer come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc. la nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida. in combinazione con un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e un livello di facilità d'uso all'avanguardia art. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili.

Perdite estremamente basse grazie alla bassa velocità di recupero FOMRDS(ON)*Qgand RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Convalida del prodottoStandard CC.JEDEC

Tecnologia competitiva dal punto di vista dei costi

Temperatura più bassa

Elevata robustezza ES

Consente di aumentare l'efficienza delle frequenze di commutazione più elevate

Enableshighpowerdensitydesignsandsmallformfactors

Link consigliati