MOSFET Infineon, canale N, 0.6 Ω, 8,5 A, IPAK (TO-251), Su foro
- Codice RS:
- 222-4713
- Codice costruttore:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1pz in confezione da 20
0,721 €
(IVA esclusa)
0,88 €
(IVA inclusa)
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,721 € | 14,42 € |
| 100 - 180 | 0,562 € | 11,24 € |
| 200 - 480 | 0,526 € | 10,52 € |
| 500 - 980 | 0,49 € | 9,80 € |
| 1000 + | 0,454 € | 9,08 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4713
- Codice costruttore:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.
Convalida prodotto conf. Standard JEDEC
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Diodo di protezione ESD integrato
Eccellente comportamento termico
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Diodo di protezione ESD integrato
Eccellente comportamento termico
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 8,5 A |
| Tensione massima drain source | 700 V |
| Tipo di package | IPAK (TO-251) |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo di montaggio | Su foro |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 0.6 Ω |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
| Materiale del transistor | Silicone |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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