MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-251, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 75 unità*

27,90 €

(IVA esclusa)

34,05 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 1500 unità in spedizione dal 31 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
75 +0,372 €27,90 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-4708
Codice costruttore:
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

22.7W

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.38mm

Lunghezza

6.6mm

Altezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Diodo di protezione ESD integrato

Eccellente comportamento termico

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.