MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 450 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPSA70R450P7SAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4711
Codice costruttore:
IPSA70R450P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

10A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

450mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

13.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.38mm

Lunghezza

6.6mm

Altezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Diodo di protezione ESD integrato

Eccellente comportamento termico

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