MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 450 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPSA70R450P7SAKMA1
- Codice RS:
- 222-4711
- Codice costruttore:
- IPSA70R450P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 15 unità*
11,58 €
(IVA esclusa)
14,13 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 1395 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 135 | 0,772 € | 11,58 € |
| 150 - 360 | 0,733 € | 11,00 € |
| 375 - 735 | 0,717 € | 10,76 € |
| 750 - 1485 | 0,672 € | 10,08 € |
| 1500 + | 0,625 € | 9,38 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4711
- Codice costruttore:
- IPSA70R450P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 450mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 50W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13.1nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 6.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Larghezza | 2.38 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 450mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 50W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13.1nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 6.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Larghezza 2.38 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.
Convalida prodotto conf. Standard JEDEC
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Diodo di protezione ESD integrato
Eccellente comportamento termico