MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 900 mΩ Miglioramento, 6 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPSA70R900P7SAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4715
Codice costruttore:
IPSA70R900P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

900mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6.8nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

30.5W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.38 mm

Lunghezza

6.6mm

Altezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Diodo di protezione ESD integrato

Eccellente comportamento termico

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