MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 600 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 3 Pin, TO-251, Superficie

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Codice RS:
222-4712
Codice costruttore:
IPSA70R600P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-251

Serie

CoolMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.5nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Dissipazione di potenza massima Pd

43.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.1mm

Larghezza

2.38 mm

Lunghezza

6.6mm

Standard automobilistico

No

Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Convalida prodotto conf. Standard JEDEC

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Diodo di protezione ESD integrato

Eccellente comportamento termico

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