MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 600 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 3 Pin, TO-251, Superficie
- Codice RS:
- 222-4712
- Codice costruttore:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 0,789 € | 59,18 € |
| 150 - 300 | 0,615 € | 46,13 € |
| 375 - 675 | 0,575 € | 43,13 € |
| 750 - 1800 | 0,536 € | 40,20 € |
| 1875 + | 0,497 € | 37,28 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4712
- Codice costruttore:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 8.5A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 600mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43.1W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 6.1mm | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Larghezza | 2.38mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 8.5A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43.1W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 6.1mm | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Larghezza 2.38mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.
Convalida prodotto conf. Standard JEDEC
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Diodo di protezione ESD integrato
Eccellente comportamento termico
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